上下波動不超過五倍，這簡直難以讓人相信。
如果說這是整合晶片上的晶體，那做到這種地步的確是有可能的。
但別忘了，這是一枚及其簡陋的碳化矽電晶體。
製造過程他們全程都看在眼中，這名主播沒有使用任何高精密儀器，也沒有使用光刻膠、單晶矽等尖端材料。
最高層次的技術，莫過於在製造n漂移層時使用‘電熱離子滲透法’。
“如果說，將這種技術應用到晶片的矽基底上會怎麼樣？”
在震驚過後，研究這一方面的科研學家腦海中都冒出來了一個大膽的想法。
畢竟電晶體的碳化矽基底的製造和晶片矽基底的製造在某些程度上是有相同步驟的。
比如鋁離子的注入，溝槽的侵蝕，這些東西都完全可以應用起來。
更關鍵的是，這名主播製造p型矽的時候，使用的是多晶矽！
多晶矽和單晶矽雖然只有一字之差，但兩者的製造難度截然不同。
如果能用多晶矽來代替單晶矽當做晶片的矽基的話.......
想到這，所有科研學者的呼吸不由自主的沉重了起來。
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模擬空間中，韓元並不知道自己今天的實驗給外界帶來的震撼。
他還在忙碌著給碳化矽電晶體進行測試並記錄所有的資料。
太陽落山，時間又至夜晚。
物理實驗室的電燈早已經升起，而透過不斷的進行測試後，韓元也順利的完成了針對這枚電晶體的‘放大能力’的檢測。
至於剩下的工作，放到明天來做。
畢竟針對性的測試並不少。
除了放大能力檢測外，他還需要檢測這枚碳化矽電晶體的反向擊穿電流，電壓檢測、達林頓管檢測、以及極限引數檢測等。
在順利透過這些檢測後，這枚電晶體才能應用到電晶體計算機上。
這些檢測並不是一天兩天就能完成的，耗時可能要半個月以上。
而且有些檢測的裝置他手中還沒有，需要進行製造。
除此之外，針對性的檢測也不是一枚碳化矽電晶體能搞定的，他還需要再製造出來幾十上百枚同型別的電晶體才可以確認這種製造方法沒有問題。
所以韓元已經準備將接下里一個多月的時間全都耗在這上面了。
但無論如何，第一顆碳化矽電訊號放大電晶體算是製造成功了，有了這個基礎，接下來其他種類電晶體的製造會容易很多。
就像你攀登上了珠穆朗瑪峰後，再去爬其他山峰一樣。
儘管依舊艱辛，但難度卻已經不在一個檔次了。
懷著激動，韓元和直播間中的觀眾打了個招呼後便停下了直播。
收拾實驗室，整體資料，他準備回去弄點好吃的犒勞一下自己了。
一次製造，就能成功的將碳化矽電晶體制造出來，這已經很不可思議了。
儘管這枚電晶體還未完全透過測試，但也值得慶祝一下。
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