到晚上十點半左右，陳舟把張一凡送出了房間。
張一凡得抓緊時間趕回學校了，據他所說，他們的宿管阿姨簡直不要太兇。
如果被鎖在門外，寫檢討都是輕的。
搞不好還要被通報批評呢。
見他說的這麼嚴重，陳舟自然也不敢耽誤他的時間。
只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和藹可親的嗎？
要是晚歸，不都是趕緊讓你進來，生怕耽誤你休息的嗎？
幫張一凡喊了輛計程車，看著他上車，陳舟才再次回到房間。
一回去，就看到沈靖打了個哈欠。
陳舟不禁笑了笑，今天起得其實挺早的，而且在高鐵上並沒有補覺，這會這個點，確實有點犯困了。
“學長，先回去休息吧，明天四十三所的實驗也要正式開始了。”
“沒事，我再整理兩篇。”沈靖說完，又打了個哈欠。
他是真的有點困了，如果按照一天的活動時間來算的話，那他已經連續近16個小時沒有休息了。
“好啦，這事不急在一時，明天再弄。”陳舟說著過去幫沈靖關了電腦，督促他趕緊去睡覺。
沈靖看了陳舟一眼，把東西收拾好，朝自己房間走去。
臨出門時，他突然停下腳步，轉頭問陳舟：“你該不會熬夜看文獻吧？”
陳舟輕聲笑道：“不至於，我再看一會就睡了。”
沈靖將信將疑的離開了，但回到房間後他覺得不對，這小子的一會到底是個什麼概念呢？
想了一會，沈靖把電腦重新開啟了。
工作，具有專注力的工作，將抵消那股疲憊的睏意！
給自己打了個氣，沈靖便開始繼續了。
陳舟這邊，等沈靖離開後，便坐回桌子前，繼續看文獻。
還剩兩個，直流電弧等離子噴射CVD法和微波等離子體CVD法。
直流電弧等離子噴射CVD法，也叫DAPCVD法。
這是一種放電區內隱的直流電弧等離子體沉積法。
這種方法的優點就是，有極快的沉積速度。
是極快，不是一般的快！
在上世紀90年代的時候，就有實驗室利用陰陽極呈直角的反應器實現了930m/h的高速生長。
&n/h，不是930μm/h！
&n/h，那也是遠高於現在四十三所製備金剛石薄膜的40μm/h的。
&n/h了。
相比之下，一個的速度就是火箭，另一個則是腳踏車。
或許連腳踏車都算不上。
也是因為這種告訴生長的速率，這種方法一度成為熱點方法。
製備工藝的話，也並不複雜。
主要就是在桿狀陰極和環形陽極之間施加直流電壓，當氣體透過時引發電弧，加熱氣體，高溫膨脹的氣體從陽極嘴高速噴出，形成等離子體射流。
引弧的氣體通常是氬氣，等形成等離子體射流後，通入反應氣體甲烷和氫氣，甲烷和氫氣被離化，並達到水冷沉積臺的襯底，在襯底上成核、生長金剛石薄膜。
而且這種方法制備金剛石薄膜，不禁速度快，而且質量高，還無電磁汙染。
但是，由於噴射等離子體的速度場合溫度場不均勻，使其沉積範圍內膜厚不均，會呈梯形分佈。