“目前，幹法刻蝕工藝主要是離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種方案。”
“而這三種方案，離子銑刻蝕最為簡單，可控性也比較高，技術成熟度也很高，相關的專利其實也已經被申請的差不多了，想要彎道超車，避開西方的專利壁壘，這個方案非常的難。”
“除此之外，這個方案也有技術本身的缺點，那就是刻蝕選擇性極差，必須採用專門的刻蝕終點檢測技術，並且刻蝕速率也比較低，性比價相當低。”
“而等離子刻蝕，雖然透過選擇和控制放電氣體的成分，可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率，但是刻蝕精度卻並不高，一般只能運用在大於45微米線條的工藝之中。”
“而我們實驗里正在進行的專案，就是王總設計的反應離子刻蝕方案！”
陳凌嶽一邊介紹著，一邊帶著尹之耀等人朝著刻蝕方案專案區域而去。
聽到陳凌嶽這麼介紹，尹之耀的神情並沒有多大的變化。
論文他已經看過了，雖然有些吃驚王東來的動作迅速，直接就在自己的實驗室進行驗證，但如果只是這樣的話，也只能算是一般，中規中矩。
尹之耀的心裡想法，其實不僅是王東來能看出來，陳凌嶽也能看出來。
選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，大大提高了刻蝕的各向異性特性。
並且，論文裡面透露出來的資訊，也讓尹之耀充滿了期待。
眼睛一眨不眨地看著儀器。
作為刻蝕行業沉浸幾十年的大佬，尹之耀心裡不斷地評價著這座實驗室。
按理來說，其實面對王東來設計出來的這一份刻蝕方案，不應該這麼激動和看重。
王東來和陳凌嶽等人見到尹之耀這樣的表現，心裡也不禁對尹之耀生出了一絲欽佩。
作為沉浸這一行幾十年的老專家，在他手上其實也研發出來過不少先進的刻蝕方案。
畢竟這麼大歲數的人了，還能對技術保持這樣的心態，屬實是很不錯了。
這種刻蝕過程同時兼具物理和化學兩種作用，輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行，矽片處於陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近，大量帶電粒子受垂直於矽片表面的電場加速，垂直入射到矽片表面上，以較大的動量進行物理刻蝕，同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。
因為一個很簡單的道理，技術越往後發展，所受到的掣肘也就越大，需要避開的東西也就越多。
而現在，尹之耀的面前就有這些儀器。
因為他已經確定了，王東來的這份蝕刻方案確實是合格的，甚至是優秀。
而尹之耀則是第一時間，想要進去看看結果如何，便看向王東來準備出聲徵求意見。
不得不說，在面對這方面的時候，尹之耀表現出來的熱愛，極為真誠和熱烈。
操作人員再三檢查無誤之後，陳凌嶽便下令開始驗證起來。
刻蝕方案已經出現過了那麼多種，後來人想要避開，所需要的知識儲備就要更多，設計也就需要更加精妙。
現代的幹法刻蝕裝置包括複雜的機械、電氣和真空裝置，同時還配備有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置，價格昂貴，很少有實驗室會完全配備。
單單只是一個刻蝕流程，其實並不需要耗費多長時間。
不等尹之耀說出口，王東來便點了點頭，說道：“尹總是這方面的專家，可以檢查一下！”
等到見到實驗專案的時候，尹之耀就變得無比認真起來。
這一刻，尹之耀恨不得把自己的眼睛摘下來放到上面去看，免得錯過任何一點關鍵資訊。
但實際上並不是這樣。