而這批技術的最新時間點是1994年的。
按照這個時間線以及瓦森納協定的精神，1993年問世的0.35微米工藝，我們是完全可以在華國生產，而不用擔心阿美莉卡的長臂管轄。”
他頓了頓，眼中閃過一絲精光，“而半年前，華國的技術水平還停留在1984年的1.25微米水平。
我們就算他們能採取跳躍式發展，也不可能在短短一年內完成1微米、0.8微米、0.6微米、0.35微米四代工藝的跨越。
說到這裡，他哈哈大笑了起來，“更何況他們還在使用436nm G線光源，而且還是接觸式路徑。”
江尚義聽後也露出了笑容。
這是他們曾經走過的老路，是再熟悉不過的。
接觸式路徑，掩模直接貼在矽片上進行光刻，不僅容易造成汙染，而且掩模的使用壽命也相對較短。
後來的接近式光刻技術對此進行了改進，透過在掩模和矽片之間形成一層薄薄的氣墊，使兩者不再直接接觸，提高了良率也提升了掩膜的壽命，這大大的降低了成本。
但氣墊的存在，又會影響成像的精度，所以G線光源的最高製程也只能達到0.35微米工藝。
&n的I線光源，其最高製程工藝可以達到0.25微米。
再往下發展，就必須採用第三代光源，即波長248nm的KrF（氟化氪）準分子鐳射，它能夠實現130nm的製程。
至於第四代光源，則是目前最先進的193nm ArF（氟化氬）準分子鐳射。
按照林本堅的理論，這種光源透過浸入式技術，理論上可以將製程推進到22nm，甚至在孫元成根據David Mann公司的重複曝光理論推測，還能更低。
章忠謀聳了聳肩，語氣中帶著濃濃的不屑，“從G線到I線，我們用了整整16年的時間。
即便華國存在所謂的後發優勢，他們也不可能在短短半年內就達到那樣的技術水平。
況且，半導體產業是一個高度複雜的綜合性產業，製造一顆晶片需要經過1000多個不同的流程，整個生產系統由上千個不同的部件組成，僅一個光刻機就包含了8萬多個精密零件。
而這些零部件，他們大半都沒法自產，到時候隨便哪個環節卡他們一下，他們的光刻裝置就出不來的。
所以，尚義，你說，在如此短的時間內，他們真的有可能達到0.35微米的工藝水平嗎？
只要他們沒法在我投產之前，也就是一年後達到0.35微米的水平，且成本和我一致，那他們就沒有機會了。
因為這是一個生意！
市場沒道理放棄便宜的產品而去使用貴的道理，這完全不符合商業邏輯。
而我在國內建廠，拉著地方機關引進了國有資本，那就算講政治邏輯，我們也不會被剔除出去的。
說實話，我還希望倒是他們講政治的，我們有國資在裡面，炎黃集團是民營，我看這局面他卿雲又能怎麼破！”
章忠謀的話語中透露出強烈的自信，讓江尚義也不得不點頭承認，他的擔心是多餘的。
“所以我們牢牢把控住0.35微米這個關鍵節點。
&n KrF氟化氪準分子鐳射光刻技術和配套工藝技術，我們只在內陸生產0.35微米制程以上的產品。
那麼即便他們到時候竊取或強行佔據了我們的裝置和工藝，又能有什麼實際用處呢？”
眼神裡閃過一抹狠辣，章忠謀呵呵冷笑著，“尚義，我的目標非常明確，就是要將0.8微米、0.6微米和0.35微米這三個製程的產品價格壓到白菜價，利用我們龐大的規模和成本優勢，徹底拖垮他們。
這個世界上沒有比內地更低的產業生產成本了，只要牢牢的佔據內地，我們可以在世界上立於不敗之地。
而後，便是以待天時！只要我們還活著，什麼都是有可能的！”
……