一是剛剛我說的原因，我也要借雞生蛋。
但我為什麼不釋出0.8微米、0.6微米的指引？
就是讓那群豬避開章忠謀，同時也讓章忠謀可以安心的在內地下0.6微米甚至0.35微米的產能。
讓他以為國內沒有0.35微米，他可以天下無敵。
當然，我不可能預設他很傻，所以我安排了鵬城0.8微米和長安0.6微米兩座晶圓廠。
到時候逐次放出訊息去，連續兩次，他不可能不上當的。
讓他在1微米或者0.8微米、0.6微米上去和我們丟擲來的誘餌上去打。
他盡情的打，他打得越狠，我越高興！
特別是1微米上面，相當於是他在為我清理障礙。
而後，等我的光刻工廠一出，我再在0.8微米、0.6微米和0.35微米上和他決戰。
您也知道的，那光刻工廠一開，月產能直接上千萬片的。
我甚至說是完全可以把晶片給幹成一斤幾十元我還可以包郵的水平。
我到時候還得發愁那麼多晶圓片怎麼賣的問題，他拿什麼給我玩？
所以，他建的廠越多，在我看來，越好！
快速的收拾掉他後，我得趕緊把光刻工廠給轉型升級，遷入更多的晶片廠到它周邊去。
不然那產能生產半年的，我三年都賣不完。”
光刻工廠，其實從來都不是什麼新鮮玩意兒。
SSMBEUV確實是2008年由楊振寧及其弟子開始進行路線研究，在2011年正式提出，2014年完成了關鍵技術的原理驗證，並申請了多項核心專利。
但SSMB（SteadyState Microbunching）這一技術的概念最早由阿美麗卡阿貢國家實驗室在上個世紀就提出來了。
SSMB全稱為穩態微聚束技術，是一種利用鐳射對環形加速器內的電子束進行精密調製，使電子束形成微結構（即微聚束），從而產生高強度、窄頻寬、相干的同步輻射光源的創新方法。
而這個穩態微聚束，其波長可以從太赫茲到極紫外光段。
也就是說，這種光源本身就是相容第三代和第四代光源特點的，可以實現從1084nm（約1微米）直至1nm製程的光源提供。
具體是多少奈米，全看接收光源後面的工藝製程。
最關鍵的是，它既不像LPPEUV只有500W功率限制，也不像SREUV無法量產。
至於高耗能……
這在華國，以及卿雲的提前規劃裡，根本不存在這個問題。
SSMBEUV要解決相關的問題達到幾個奈米的製程，確實很難，有太多的難點需要攻克。
但DUV已經是很成熟的。
而此時，卿雲掏出來的，便是SSMBEUV的前代技術，SSMBDUV路徑，也就是利用穩態微聚束的約1微米到193nm的波長來進行光刻。
而這種路徑下，光刻工廠只要三塊反射鏡，鏡片面積要求也小得多，只要商業化光刻機的十分之一。
本身光源質量上比ASML的商業化光刻機強，整機開發難度下降了不少，對鏡片的要求自然就降低了，剛好是國產鏡片墊墊腳尖就能摸到的位置。
他說到這裡的時候，梁猛松都忍不住笑了起來。
之前誰也不知道這光刻工廠這麼猛的。
原本，整個國際市場月產能不過1300萬片，而一個光刻工廠，是多種製程同時生產的，穩固態光束跑一圈就相當於是幾千臺光刻機同時開工。