這個魯總工清楚：“這個到不了，有點差距，主要是感測器問題。”
現在他們用的K型熱電偶，測溫範圍沒有問題，但是精度就差不少了，2.5攝氏度或者千分之7.5，對於這個精度要求差了老遠。
高振東想了想，沒有推薦B型熱電偶，B型的千分之2.5的誤差也差點意思，而且反應速度慢。
“加一個鉑電阻吧，間接測量，作為輔助感測器，配合K型熱電偶，加上DJS60D跑PID控制演算法，應該是能控制得住的。”
鉑電阻反應速度也慢，不過這個可以演算法手段加以某種程度上的解決，鉑電阻精度就遠超需求了，最好的可以到千分之三攝氏度。
鉑電阻最大的問題還是測溫範圍問題，半導體生產中需要用到1000攝氏度以上的範圍，是超過鉑電阻的測溫範圍的，不過間接測量設計得好的話，問題不大。
所以高振東拿出了鉑電阻間接測量+K型熱電偶直接測量的辦法，一個測得準，一個測得快，雙劍合璧，天下無敵。
他不知道日後的擴散爐是怎麼解決這個問題的，反正在他這裡，他就這麼解決。
之所以這個擴散爐這麼重要，主要是很多工序都靠這個。
氧化、澱積、擴散、擴散氧化，這些都靠這玩意了。
擴散氧化本來還有一種工藝的，但是高振東沒有選，因為選擇那種工藝會多出來一種叫做外延反應系統的裝置，那就麻煩了。
所以高振東選擇的還是能靠擴散爐完成“熱氧化法”。
高振東想了想，又給了一筆支援：“到時候我這邊支援你們一些專門搞計算機控制和熱電偶應用的技術人員，負責配合你們搞這個事情。”
魯總工他們這下放下了心，高總工這裡的精兵強將親自支援，那就好辦多了。
高振東也很開心，PMOS技術晶片製造階段的三大核心裝置，一個光刻機，一個擴散爐都有了，就剩下一個了。
“呂廠長，真空蒸鍍裝置現在是個什麼情況？”在1274廠的現狀上面沒有發現這東西，情況可能不容樂觀。
呂廠長搖搖頭：“沒有，以前我們都用不上這個。”
真空蒸鍍，在真空條件下蒸發金屬，在工件表面形成金屬鍍層的裝置，在晶片製造業，它的升級版是濺射裝置。
不過濺射裝置是用於鉭、鈮等金屬的，它們的濺射特性好，而晶片內佈線大量使用的鋁就不同了，一直是蒸發。
不過蒸發也有幾種，有電阻加熱的，直接用鎢等金屬電阻材料加熱高純鋁，形成金屬蒸氣，完成蒸鍍。
還有一種是電子束蒸發，這個可以避免電阻加熱的一些壞處，比如加熱電阻與工藝中的氧化氣氛接觸，會把自己給蒸了，甚至它們會和被蒸發的金屬起反應，這就更難繃了。
高振東想了想：“那我們搞個電阻蒸鍍機吧。”
電子束蒸發是要靠磁場精準偏轉電子束打到靶材上進行加熱的，先不說高能電子束的來源問題，這個磁場怎麼來都是一個問題，永磁體就不用想了，電磁場，以現在的條件來說也是個問題。
反倒是技術落後的電阻加熱，在現在是更加可行的，每一項技術的存在，總是有它的理由的。
反正現在這個也不是什麼要求很高的製程，所以整個積體電路工藝在高振東看起來雖然充滿了湊合、將就的意思，但是在這個階段，差不多就是最合適的了。
不過，1274廠的兩位，明顯不覺得這套工藝是湊合或者將就。