新的理論、新的技術，意味著一切舊的理論和技術都要推倒重來。
原本的晶片，其原材料是以矽為主的矽基晶片。
而光刻機，並不是按字面的意思去理解，用光來雕刻。
鐳射雕刻機？
不是的。
光刻機它其實類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形透過光線的曝光印製到矽片上。
&n、10nm指的是採用7nm、10nm製程的一種晶片。nm是單位奈米的簡稱。
&n，指的是形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度，也被稱為柵長。
柵長最小，技術要求越高，其晶片效能也越好。
光刻機生產積體電路的大概流程，先用模版去除製作矽半導體電路所用的矽晶片的保護膜。
再將矽晶片浸泡在腐化劑中，讓失去保護膜的部分被腐蝕掉後形成電路。還要用純水洗淨殘留在晶圓表面的雜質。
這是傳統的晶片製造工藝。
現在，更小的晶片製造已不是以矽為主，而是石墨烯。
石墨烯晶片作為電流載體，其速度更快，等比縮小更優異。
現在更小更快的晶片，就是以石墨烯晶片為研究方向。
而瑪雨星帝國的低階晶片技術，就是以石墨烯為主的一種新型材料。
金石墨烯！
由此看來，地球對晶片技術的研究方向其實也是對的。從矽基晶片到石墨烯晶片。再未來，是否能到金石墨烯晶片，就不得而知了。
也許會找到另一種材料，也許就是金石墨烯材料。
按照墨華兌換出的技術理論說明，石墨烯的極限也就是1nm。想要再發展到1nm以下，那就是難上加難了。
不是石墨烯做不到，而是用傳統的工藝方法，做不到。
&n說的是形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度。
1奈米相當於五萬分之一頭髮粗細。
這麼細的寬度，還要再細，傳統工藝的製造工具的精度上就無法保證。
&n，不僅要改進材料，還要改進工藝。
金石墨烯，就是這樣應運而生。
&n晶片的技術成熟，才有可能進一步發展，製造出1nm以下的晶片。
而兌換出的技術當中，全新的光刻機其實已經可以說不叫光刻機了。只是系統轉換瑪雨星帝國技術過來時，順手就用了地球上原來類似的名詞名稱。
為什麼墨華說可以繞開專利封鎖，為什麼說和地球所有晶片的發展完全不同？
就因為，用來製造金石墨烯晶片的光刻機，其工作原理已經完全不同。
用模版去除製作矽半導體電路所用的矽晶片的保護膜？
不，不需要！
泡在腐化劑，讓失去保護膜的部分被腐蝕掉後形成電路？
不，不是這樣！
全新的光刻機，需要一個磁場，需要一個高溫場，需要一個低溫場。
整個光刻機，基本上可以說是一個磁場環境。
將石墨烯和黃金置於強磁場中，利用高溫場讓石墨烯原子處於活躍狀態。
融化黃金，利用鐳射照射，光子定位，用磁場控制，使金原子進入石墨烯當中，與石墨烯原子一起按積體電路模版要求排列。