“一次滲透碳原子的dpa為18.3.......。”
“二次滲透碳原子的dpa為32.1.......。”
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“這不可能！”
看到最後dpa損傷結果，中年組長瞬間脫口而出，滿臉的不敢置信。
這一組資料上的資料，實在是太令人震驚了。
一次滲透碳原子的dpa損傷只有18.3，這怎麼可能？
哪怕是風車國那邊最先進的離子注入，碳化矽晶材中的碳原子損傷也會達到三位數以上。
更關鍵的是，這種方式二次滲透的都只有低兩位數的dpa損傷。
這是上帝才能做到事情。
這樣低的滲透損傷率，如果應用到晶片的製造上.......。
實驗室的中年組長已經不敢再想下去了。
正如華國京城某間實驗室中一樣，這樣的場景不斷重複在世界各地中。
模擬空間中，一下午的時間很快就過去了。
經歷過整整六次的滲透處理後，太陽也下山了。
但今天的直播到現在還不能停下。
滲透處理過後的碳化矽晶材需要更進一步處理，將剛注入的鋁離子穩定下來，形成可用的n漂移層。
至於穩定的方法，那就是透過高溫進行退火處理。
清洗乾淨的碳化矽晶材吹乾後整齊的倒放在乾燥的玻璃容器中，韓元從一旁的材料中翻出來一個透明塑膠袋。
裡面是細細的黑色粉末，上面還有一個紙製標籤，寫著‘碳粉’兩字。
將袋子開啟，裡面碳粉取出來裝入注入了鋁離子的溝槽中，覆蓋住整個溝槽。
三十顆碳化矽晶材全都處理好後裝入金屬盤中，然後送入高溫熔爐中。
熔爐中的溫度控制在一千一到一千四百度之間。
這一步很重要，透過高溫加碳粉在碳化矽晶材的n+漂移層上形成一道保護膜，可以穩定有效的控制住n漂移層中的電子流失。
高溫退火的過程是三個小時左右。
從太陽下山，一直到月亮升起，韓元才將熔爐中的碳化矽晶材拿出來，冷卻後清理掉多餘的碳粉。
處理完成後的碳化矽晶材的n漂移層再透過濃硫酸來清理掉頑固的碳渣。
這一步完成後，韓元才鬆了口氣。
碳化矽電晶體中最難處理的n漂移層他已經制備完成了。
剩下的，明天再來處理就行了。
和直播間裡面觀眾打了個招呼，他便停下了直播。
n漂移層處理完成後，剩下的工作相對而言就簡單多了。
當然，這只是針對他製造的這種碳化矽電晶體來說的。
如果是現代化的整合晶片，後面還需要注入p阱、p+接觸區、n+接觸點、p區域等一些列的步驟。
麻煩程度可不止一點半點的。
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