“老張啊，你這是嫌摩爾定律不夠熱鬧，也想弄出個寧為定律來？一個月搞出一個大新聞，上個月人工智慧，這個月半導體新材料、新技術，那這接下來的日子可就有盼頭咯。”
“哎，聽大家聊得這麼開心我到想起一個事情。你們可能不知道，之前我們隔壁的高能所跟燕北大學搞材料的老譚合作了一個熱電材料的專案，專案成功之後一起吃飯，我正好也去了，飯桌上就聽老譚說了，這個專案中間還真遇到些困難，他們就是請了那個小寧去，結果人家一天就給出了方案，把問題完美解決了。而且據說新材料的效果還特別好，好像說是論文已經投了Science，都過了初審。”
“哦？還有這種事情？那這個小寧還真是全才啊。”張元感嘆了句。
大家正聊得開心，會議室大門突然被推開，工作人員急匆匆的走了進來，激動的衝著所有人說道：“眾位老師，請大家先移步到隔壁的實驗室，有些東西需要藉助眾位老師的專業知識評判一下。”
說完，這位年輕的工作人員還沒忘跟透過影片連線的幾位院士解釋了一下：“影片參會的老師們請稍等一下，我們的檢測報告等會會透過會議系統，傳送到你們的後臺，大概半小時後，會議正式開始。”
大佬們面面相覷，看這樣子，是真的有大新聞？
但不管怎麼樣，來都來了，自然還是聽人家的安排，於是所有人跟著工作人員走出了行政樓，來到後院的實驗大廳內，有序的洗手、清潔之後套上白大褂，走進了微電子所的實驗室。
剛一進去，張元便看到了正在電腦前發呆的老朋友，也是微電子所的知名院士鍾成明。
雖然這位大佬外界知道的人不多，但在華夏半導體領域卻是當之無愧的大拿級人物。
這位鍾院士早年有海外留學經歷，並在AMD、IBM、SanDisk等多個世界一流的晶片公司從事過CPU、Flash等高效能晶片研究與產品開發工作，在國外工作了十年後，與2012年回國發展，並留在了微電子所一直到今天。
其他的功績暫且不提，這位大佬在業界最知名的舉動大概是在四年前曾經直接向英特爾宣戰，向法院提起訴訟，指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專利，要求賠償至少2億元，同時請求法院對酷睿系列產品實施禁售。
要知道這可不是無理取鬧。當年Intel曾在中國和美國兩地試圖5次去無效掉中科院微電子所的這件FinFET專利，最終都以失敗告終。
這項華夏專利號ZL201110240931.5的專利主要就是能夠有效提升晶片整合度並降低製造成本，屬於當年最先進的半導體技術核心專利，當年正是在這位鍾院士帶領下，無數人攻關獲得的成功。雖然最後這場官司以雙方和解告終，但在當時的環境下的確在業內惹起了極大的轟動。
“嘿，老鍾啊，我說怎麼今天沒看到你呢，搞了半天在實驗室呢？”張元一進門便打了聲招呼。
“老張，來了啊，你來看看這個，太神奇了。大家都來看看吧。”回頭看到張元，鍾成明根本來的寒暄，直接招手說道。
“哦？來了，來了。”一群剛進實驗室的大佬們紛紛湊到了螢幕前，此時操作檯電腦螢幕上顯示的是透過微分干涉顯微鏡觀察到的晶片內部結構，如果能看到晶片本體大概就會發現，昨晚三月手搓出的晶片封裝已經被拆開，內部的完整結構全部透過顯微鏡展現在顯示器上。
入目是按照一定規律排列整的管狀矽，矽管體內外部分都攀附著密密麻麻的電晶體，切換角度還能看到矽底座上有線路將所有這些矽通管做著連線。
“這，三維結構的？”
“對，三維結構的！今天拿過來的，一共給了我們三枚晶片進行檢測，其中兩枚在做效能方面的測試，這一枚我們直接拆開了研究內部結構。它的基底材料依然是矽，但是電晶體全部使用的是CNT材料。整體採用的是180nm的製作工藝，顯然這工藝水平還有極大的進步空間。”
“還有剛才已經出來部分效能檢測報告，具體報告等會大家都能看到，現在只能告訴大家，結果還是很喜人的。天才的設計，真的，天才的設計。”
“他是怎麼解決散熱問題的？”
“散熱問題，看這裡，你們看這是基地跟封裝上的結構，看到邊緣上的碳奈米束了吧？這個設計客服了介面熱阻，矽通孔側口外壁邊緣跟內部分別有四條線，這裡是用碳奈米管進行填充，這種材料導熱率遠大於傳統材料，熱度更容易被傳遞出去，應該屬於一種新的全碳散熱結構。”
一排咽口水的聲音，很快又有新的質疑。
“他這是怎麼解決這種陣列帶來的串擾問題？這些矽通管如果同時載入電訊號，輸出噪聲的峰值應該是各個單體通管輸出噪聲累加的吧？這樣設計真的不會有噪聲串擾問題？”
“對，當時看到這個結構我最先也懷疑這個問題，但你們看啊，這是檢測報告，證明了輸出噪聲並不比我們傳統的製造更大，這個問題我也沒太想清楚，不過經過一些簡單的電訊號測試，我發現為了解決這個問題，晶片大機率是採用了訊號與地間隔排列的方式。”
“來，大家看這個動態模擬，我們已經根據這個排列做了初步的建模。首先把工作訊號注入，設定訊號峰值為1V，週期分別為1ns跟0.1ns，上升時間跟下降時間為週期的4%，佔空比為0.5，訊號線接下端開路，上端接50Ω負載，按照電路模型運算結果顯示，其峰值串擾噪聲對其效能造成的影響幾乎可以忽略不計。因為即便是在其滿負載運轉之下，相鄰訊號處理始終是間隔排列的，也就是內通跟外通兩種排序，對此我只能說，這真特麼是天才的設計！”
大佬們面面相覷……
“還有，這裡是我們預測的傳輸特性，透過公式大概計算了其各項電路引數，這裡是阻抗引數，發現沒有，這一結構除了散熱之外，使用碳奈米管束通道填充技術還提高了訊號傳輸效能，這裡量子電容的影響基本可以忽略，這裡也就只有電阻跟電感的變化。”
“同志們，這是全新的材料跟全新的結構跟全新的製作工藝啊！180nm製作工藝的效能已經足以跟市面上60nm製造工藝生產的射頻晶片效能相抗衡，甚至一些特性要優於目前的傳統晶片！可想而知，如果這項技術用於通用晶片設計，比如CPU、GPU，這哪裡是晶片？這特麼是未來啊！”
老鍾罕見的再次爆了句粗口！