下午的會議，鄭振川就沒有再參加了。
但遠芯對半導體行業的討論仍然在繼續。
“過去十幾年，我們一直在和intel比工藝，截止去年，我們都已經走到了成熟的45nm節點上。”張汝金戴上了老花鏡，瞥了一眼手中的檔案，臉上是不甚唏噓的感慨：“不得不說, intel還是很厲害的，我們每次有領先，他們總是能夠及時的追上來甚至還能反超。”
“摩爾定律就是這麼實現的。”蘇遠山笑著補充了一句。
“是啊，但今年我們可以提前一大步了。”張汝金笑呵呵地望向眾人，但主要的視線還是停在蘇遠山的臉上。
畢竟，這與會的多人裡，還是蘇遠山對半導體工藝理解得最深刻。
“最遲年中，我們就可以推出基於22nm的finfet工藝, 把晶圓的電晶體密度再上一個臺階。而且我們目前的DE技術已經成熟，目前正在向SADP技術轉移，從技術的角度，是可以支撐我們的工藝在DUV的條件下把製程繼續往下探，或者說，等效製程往下探。”
//DE（double exposure，雙重曝光），SADP（selfaligned double patterning自對準雙重成像）
“如果intel跟不上，那這將會是一次巨大的領先！”張汝金紅光滿臉，終於忍不住有些激動起來：“製程進入到22nm之後，finfet將會是唯一的選擇，最起碼目前是。”
在場的眾人並不是每個人都對半導體工藝有理解, 見到身邊的周小慧露出遲疑的神色，蘇遠山就輕輕咳了一聲，笑著替她解釋道：“目前的電腦晶片一直採用mosfet結構, 嗯……準確的說, 是NPN接面構……”
見周小慧還是有些不懂，蘇遠山便放棄瞭解釋, 直接道：“反正就是, &nosfet結構中的溝道長度。溝道越短，電阻越小，效能越高，同時電晶體密度也就越大，所以才要不斷提升製程。”
“哦？然後呢？”
&nosfet結構的話，當溝道長度越來越短，譬如22nm之後，源極和漏極之間也會越來越近，電場也越來越近。”蘇遠山說著伸出雙手靠近，然後把自己的筆記本放在手上：“我的兩隻手就是源極和漏極，電流從源極流入，漏極流出，併產生電場，當它們距離過近，就會干擾到上面的柵極，從而漏電——我們把這個效應稱為短溝道效應。”
“而finfet結構就是為了解決這個問題而誕生的，甚至還因為它的結構是把電晶體豎了起來——譬如我豎起了手掌——從而可以獲得更高的電晶體密度之外, 還能很好地解決短溝道效應。所以,&n是今後高效能晶片是否採用finfet結構的一個分水嶺。”
“等效製程呢？”
“等效製程就是，在finfet結構下的電晶體數量，按照mosfet結構來算的話，需要多少的製程才能達到。譬如一個晶片採用finfet結構，有100億個電晶體。用mosfet結構的話，要達到100億個電晶體，溝道長度需要縮短到14nm——於是我們就認為這款晶片的等效製程是14nm。”
“懂了吧？”蘇遠山目光灼灼地看著周小慧。
周小慧抿嘴一笑：“不是很懂。”
蘇遠山：“……”
對面的一群人便樂了起來，丁壘一邊笑著一邊打趣道：“感覺夢迴90年的課堂。”
“好吧，反正只需要知道這個工藝很有意義，十分有意義。”
“那能拿北極星麼？”周小慧眨了眨眼，好奇地問道。
然後眾人便齊齊地望向蘇遠山。
北極星已經開了兩屆，而且和當期的諾獎裝車率極高，這一下就拉高了北極星的“逼格”。