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第584章 喪心病狂的遠芯 (第1/2頁)

就在張汝金開始介紹起國內光刻機現狀時,蘇遠山笑著打斷了他的話。

“張叔,好歹給咱們留點念想……”

張汝金一怔,當見到蘇遠山嘴角掛起的苦笑時,他也滿嘴苦澀,繼而笑著搖了搖頭。

是的,這玩意,真不能深究。一旦深究下去,就必定落到國內的整體工業狀況上去,而這個問題……太具體,也太沉重了,遠不是遠芯能夠承擔和討論得起的。

現在遠芯看似站在了和國外同行的同一個高度,甚至某些領域還有些許的領先。但國外的科技企業之下,是整整一座從基礎到中端再到高階的金字塔。而遠芯,則只是一棟在低矮平房中拔地而起的大廈——更要命的是,承載這座大廈的,還有許多是來自國外的技術和裝置。

一座摩天大廈,就算修建得再高,再富麗堂皇。就穩固性而言,永遠也不可能和金字塔相提並論。

這便是,為什麼剝離代工廠會對遠芯造成那麼大的影響,蘇遠山也要堅持優先代工廠的發展的原因。

“光刻機那邊,鄭工簡單地給我通了個氣,表示目前暫時還沒有受到影響。但他也未雨綢繆,加大了採購力度。”蘇遠山搖了搖頭,眉頭輕輕地皺起。

國內光刻機的發展已經偏離了原本的軌跡,從原本的杳無聲息到如今能夠提供滿足國內0.8微米需求的436nm gline機型,其實這算一個好訊息。

但這也意味著,它將極有可能提前遭到技術封鎖。

需要說明一點的是,按照波長和線寬,理論上,g線光源也是可以達到0.25um節點的極限,但由於波長緣故,越是要達到極限,工藝也就越是複雜——如今宏芯的光刻機已經進廠半年多,華晶那邊依舊在磨合著依舊很成熟的0.8微米工藝。再加上g線光刻膠目前最高也僅支援到0.5微米,是以……它未來不可期。

並且就連遠芯,製程推進也是在尼康i線365nm光刻機的基礎上進行,雖然理論最小工藝節點依舊是0.25微米。但波長和線寬的優勢,使得其更容易達到節點。

此外,早在去年,intel就推出了基於0.35微米制程工藝的PentiumMMX,輕而易舉地就回到了效能王座的同時,也彰顯了其晶圓廠強大的製程工藝實力。

根據小道訊息,intel的0.25微米工藝也在突破當中。

相比之下,德遠這邊,還在為0.35微米工藝打著攻堅戰。

&n的KrF準分子鐳射作為下一代光刻機的光源,緊接著便是193nm的ArF——也就是大名鼎鼎的DUV。屆時,憑藉多重曝光技術,DUV將會把製程節點提高到65奈米的乾式光刻極限。

再往後……便是浸沒式技術的天下了。

如果說,還有什麼能夠讓蘇遠山有信心和勇氣去直面光刻機的未來,恐怕就是“多災多難的”雙工件臺以及目前八字都沒一撇的浸沒式光刻技術了。

沉默幾秒後蘇遠山沉聲道:“對於國家來說,光刻機就是好不容易養出來的金寶貝,不可能就此不管的,我們只需要做好我們應該做的即可。”

說著他用力揮了一下手,彷彿想要揮去陰霾和迷霧。

陳靜見狀毫不掩飾自己的心疼,輕聲道:“要不自由討論一下?”

“沒事,下一條。”蘇遠山抿了抿嘴,緊接著望向田耀明,末了又看了一眼末尾的李逸男一眼。

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