沈靖又轉過頭去和吳博士小聲交流著。
陳舟卻把注意力轉移到了實驗裝置上。
剛才，吳博士的話提醒了他。
在金剛石摻雜實驗中，載流子濃度，會影響霍爾遷移率。
而霍爾遷移率便直接反應著金剛石中硼元素的摻雜程度。
此外，硼元素的摻雜，是透過向MPCVD法制備金剛石薄膜的反應室中加入硼源來實現金剛石的硼摻雜的。
硼源的話，一般會採用含硼的氣體，像B2H6和B（CH3）3。
當硼的摻雜濃度較高時，製備的金剛石摻雜是包含了許多點缺陷、線缺陷和麵缺陷的。
這些缺陷會捕獲載流子，影響金剛石材料的霍爾遷移率，進而影響製備的硼摻雜金剛石。
“果然，無論是金剛石薄膜本身的製備，還是摻雜實驗下的單晶金剛石的製備，都是矛盾的實驗……”陳舟心裡想到。
想了想，陳舟跟吳博士說了一聲，便去n型摻雜實驗那邊了。
正如吳博士所說，n型摻雜比p型摻雜要難得多。
對於p型摻雜，還能參考這自然界的樣本。
但是n型摻雜，只能不斷摸索。
說起來，n型摻雜的磷元素，就是從氮元素、硫元素、鋰元素這些，一步步摸索過來的。
磷的共價鍵半徑是碳的1.4倍，能級位於導帶底以下0.58MeV。
因為這些性質，磷在金剛石薄膜中可以形成淺能級，所以是實現金剛石n型摻雜的理想元素。
但是，n型磷摻雜金剛石的載流子遷移率仍然是遠低於p型硼摻雜。
陳舟找到了彭飛，輕聲問道：“實驗進行的怎麼樣？”
彭飛指了指正在進行中的實驗裝置：“還行吧，和前幾次沒多大差別。”
頓了頓，他看著陳舟，笑著說道：“就看你們處理資料的結果了。”
聞言，陳舟笑了笑：“我們盡力。”
彭飛又說道：“有什麼需要幫忙的，儘管說。”
陳舟點點頭：“放心，我不會客氣的。”
說完，兩人相視一笑。
相比於其他人，這個一開始便被安排去高鐵站接他們的彭飛，給陳舟的感覺要舒適很多。
想了想，陳舟問道：“現在金剛石中磷的摻雜濃度是多少？”
彭飛倒沒直接回答，而是說道：“因為磷的摻雜濃度直接影響載流子遷移率，當載流子濃度較低時，電離雜質散射影響較小，遷移率較高。”
“在2012年P博士等人透過降低（100）晶面金剛石中磷的摻雜濃度，將室溫載流子遷移率提高至780cm??/（V·s）。”
“所以，我們在他們的基礎上，進一步降低了磷的摻雜濃度。這10組實驗磷的摻雜濃度，是在4×10^15/cm~2×10^15/cm區間內依次選取的。”
陳舟點了點頭，10組實驗互為對照。
陳舟又想起來一件事，便問道：“明天的共摻雜實驗，也是你這邊進行的吧？”
彭飛回道：“沒錯。共摻雜的實驗，其實也是n型摻雜。只不過，不管是我們採用的MPCVD法在生長過程中摻雜，還是採用離子注入的方法，用單一元素去實現金剛石的n型摻雜，依然很難。”
“但是透過將兩種或兩種以上的元素摻入金剛石，去實現金剛石的n型導電，就容易多了。”
頓了頓，彭飛繼續說道：“在單一元素n型摻雜中，氮元素和硫元素都不是適合的選項。但是在共摻雜中，硼和氮的共摻，硼和硫的共摻，還有磷和氮的共摻，卻都可以實現金剛石的導電性。”
聽完彭飛的話，陳舟轉而問道：“這個課題主要是對金剛石和金剛石半導體材料製備的研究，那對於性質的研究呢？”
彭飛指了指遠處的吳博士，說道：“吳博士的另一個課題組負責研究金剛石半導體材料的性質和應用。”