東京應化、JSR、住友化學、富士膠片佔據光刻膠市場70%以上的市場份額。
光刻膠一旦斷供，晶圓廠就得停工。
無疆微電子公司總不能把希望一直寄託於RB人的善良和好心，認為他們不會斷供吧。
光刻膠的市場並不大，10億美元不到，但極其重要。
前世，國內無論是光刻機，還是光刻膠，都被國外拿捏。
光刻膠的生產難度也非常高，不單單是其配方，最難攻破的還是工藝，其中，曝光裝置和感光檢測裝置遠遠落後於國外。
另外，RB還在光引發劑、樹脂等光刻膠重要原材料領域，同樣具備較高的壟斷程度。
所以趙燁現在要研製光刻膠，既要研究光刻膠配方與工藝，還要投入資金研究和生產光引發劑、樹脂等光刻膠重要原材料，投資比較大，但是投資再大也要去做。趙燁不去做的話，國內就沒有人去做了。
試想，一旦光刻膠斷供，晶圓廠停工，那趙燁在無疆微電子公司投資的那麼多的人力和財力，都等於是浪費了。
趙燁相信，以美國為首的西方國家，絕對能夠做得出來。
所以，自力更生，才是王道。
黃昆、秦國剛、王守武、王圩等院士們很熱衷於幫助趙燁建立「無疆光刻膠有限公司」。
於是，趙燁就把這件事託付給他們負責，自己最後出錢就是了。
……
光刻膠佔據電子材料至高點，對於國家的發展至關重要。
上游原材料且不提，主要是中游製造，主要分為：PCB光刻膠、LCD光刻膠、半導體光刻膠三種，分別對應著下游應用：PCB產業、面板產業、半導體產業。最後則是電子產品應用終端，比如手機、家電、航空航天、汽車電子等等。
不難看出，發展光刻膠對於一個國家科研、工業產業等發展至關重要。
前世，半導體光刻膠按照曝光波長不同可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新興起的EUV光刻膠5大類，高階光刻膠指KrF、ArF和EUV光刻膠，等級越往上其極限解析度越高，同一面積的矽晶圓佈線密度越大，效能越好。
當前的半導體制程還不那麼先進，主流工藝在8001200nm之間，因此波長436nm的光刻光源就夠用。
中國在70年代就開始研究光刻膠了。
光刻膠巨頭JSR，也只是在1979年進入光刻膠領域。但JSR的半導體光刻膠逐漸全面覆蓋從g線到EUV。
而中國直接在八十年代放棄光刻膠的研發了。
不過這也怪不得當時的決定，處處落後，各方面都被國外壟斷了，想要發展光刻膠，簡直難如登天。
但如今，龍芯設計公司、無疆微電子公司和無疆公司實現了從晶片設計到晶片生產以及晶片下游應用終端的產業產閉環。這讓國產光刻膠迎來歷史性機遇，也為研發光刻膠提供了動力。為了不被卡脖子，自主研發光刻膠是必然的選擇。
三週之後，在黃昆、秦國剛、王守武、王圩等人的幫助下，國家開始行動起來，探究討論，調集資源，組建了無疆光刻膠有限公司。