第376章 PMOS (第1/3頁)

不是我不一次性說完,而是我每說一句話,你都要打斷我發表一點兒什麼意見,利諾奇卡心想。

“煤油?煤油的熱值是要比酒精高,啊哈,難道這就是原因?”

部長同志這才有些釋然。

並不是他一定要找點什麼原因才能讓自己高興,而是這些情況單獨看起來都不算什麼,可是全部組合到一起,就多少有一些讓人驚訝了。

更大的射程,更大的戰鬥部,同等的尺寸和重量,這說明對方一定有什麼自己不知道的技術。

“部長同志,我們要不要試一試把P15的酒精換成煤油?”

P15,就是544導彈。

“噢,不!基層的達瓦里氏們會抱怨的,至少現在的P15不能換!他們已經習慣維護這種導彈了,不是麼?”

不得不說,作為部長,還是非常體恤一線基層的同志的。

咱們正毛旗的兵,就愛維護酒精燃料!

“利諾奇卡同志,如果那邊還有什麼新的訊息,一定要早一點告訴我。順便告訴盧比揚卡的同志,他們需要付出更多努力了!”部長同志總是覺得其中有哪裡不對,但是又不知道哪裡不對。

——

老毛子的糾結,高振東並不知道,他正在糾結自己的事情。

其實也不是糾結,只是在繁雜的工藝中選出一條合適的路來。

雖然已經選定了MOS技術,可是MOS技術也有PMOS(P溝道MOS)、NMOS(N溝道MOS)、CMOS(互補MOS)等等。

這些技術的每一道工序,又有不同的選擇。

就好像搭積木,要搭出一個公園來,有不同的搭法,正所謂殺豬殺屁股,各有各的殺法。

不過在MOS的種類上,高振東倒是沒什麼好糾結的,PMOS直接上就行了,作為最早的MOS技術,自然是有他的優點的。

猜猜它為什麼最早?簡單啊!

PMOS只需要五次光刻就能搞定。

P區光刻、柵光刻、接觸光刻、金屬光刻、壓焊塊光刻,並在每次光刻中間加上不同的澱積或者氧化工序。

分別形成P區、柵極、對外接觸孔、晶片內佈線和封裝時用的引出焊點。

而且,其中掩膜需要嚴格對準套刻的,只有第二次柵光刻,其他時候的對準要求都不是那麼高,這就讓手上的技術條件有限,捉襟見肘的高振東感到很舒服。

拋開封裝,只是從矽片到佈滿成品晶片核心(DIE)的半成品,只需要12步工藝,就這,還包括準備矽片那一步工藝。

甚至不想要鈍化那一步的話,只要前4次光刻就足夠了,與之相應的工藝也減少到了10步。

這是真的簡單,而且對材料的要求也不高。

只需要考慮引入三種元素。

——形成氧化保護層的氧、形成柵極的硼、還有形成金屬導線的鋁。

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