程進聞言皺起了眉頭，“怎麼是他？”
他的疑惑有很多，比如怎麼殺，殺了之後他又該如何，當場自殺？
但相比起照片上的人而言，這些都是細枝末節了。
在他看來，這太不可思議了。
雲帝乜了他一眼，“認識？”
程進回了一個白眼，“廢話！我也是幹這行的！雖然我確實水了點，但我畢竟是做科研的，行業領域內什麼新動向我還是知道的。”
他手指點了點照片，“林本堅，夷積電高階工程師，在當前193nm光刻光源停滯了二十多年無法突破下，去年提出了浸入式光刻技術，算是一個另闢蹊徑的發展方向。”
說到這裡，他搖了搖頭，“但是，他的理論，並不被當前的市場所接受。去年提出的時候，沒有市場買單。
現在的路徑一共四大陣營，尼康佔主導的157nm鐳射、因特爾BMD摩托騾拉聯合的13.5nmEUVLLC、NEC託西巴NTT和IBM聯合的1nm接近式X光、朗訊貝爾實驗室高的0.004nmEPL和0.00005nmIPL。
後面兩個算是浪漫陣營，純理論研究，他們就沒想過產業化的事情。
而EUV太超前，短期內根本無法實現。
&n技術路徑。”
卿雲笑了，他懶得和程進扯什麼科學英雄史觀的問題，更沒興趣和他聊技術路徑路徑，開口說道，
“荷蘭的ASML正在和林本堅一起共同攻堅浸入式光刻技術。”
程進聞言搖了搖頭，“沒用的，浸入式透過水滴折射確實可以跳過157nm，直接做到134nm波長，而後就會被65nm的最高生產解析度給卡住，到時候怎麼辦？
小卿，光刻是要遵循瑞利公式的，λ為光源波長、NA為數值孔徑、k為光刻工藝係數，三者共同決定投影式光刻機解析度CD。
光刻機的解析度與光源波長成正比，想要製造出更小的尺寸，就需要縮短光源的波長，這也是光刻機世代演變的核心。
所以，你不管怎麼折射，最終還是要透過光源的波長來解決問題。”
熟知後事的卿雲很清楚，程進說的是對的。
浸入式、浸沒式、浸潤式，其光源都是193nm鐳射器，隨後是根據瑞利公式的另一個引數：孔徑，來實現精度的提高。
再之後，便是二次曝光技術，同樣是基於193nm的光源。
而最終，在DUV後，ASML還是走了波長13.5nm的EUV路徑。
但那是十來年後的事情了。
彼時的ASML已經一家獨大，它的領先優勢可以隨意切換賽道，但此時的光刻機市場卻並非如此。
此時還是群雄混戰時期，誰先突破，便是贏家通吃。
ASML與尼康佳能的光刻機之戰，其實是一個弱者在走投無路之下，抱著‘光腳的不怕穿鞋的’的賭命心態進行絕地突圍的故事。
ASML能贏，並不在於林本堅的技術有多先進，而是在於林本堅給出了一個商業友好性極強的工藝方案。
在 ASML推出浸入式&n產品的半年後，尼康也宣佈自己的&n產品以及 EPL產品樣機完成。
然而，林本堅的浸入式屬於小改進大效果，產品成熟度非常高，所以幾乎沒有人去訂尼康的新品。
而半導體產品就是這樣的特點，市場說了算。
贏得了市場，贏得了迭代的機會。
他想了想，還是耐心說道，“老師，您知道，我是一個商人。所以我習慣用商業的角度來看待問題。”
拿起礦泉水抿了一口，卿雲繼續說著，“您說，從投入……或者說對當前工藝的改進角度看，走157nm還是走浸入式193nm容易？”
程進茫然的看著他，搖搖頭表示不知道，“但是技術路徑就在擺著啊，科研是要攻堅克難的。”
卿雲見狀也只能無奈的聳了聳肩膀，“科研是科研的事，但作為一個企業家，我告訴你，我肯定選容易的。