就差PPT了。
這種模式，完全是各個院士把他們自己當做實驗室小導，而卿雲是指明方向的大導一般。
更讓他覺得難以置信的是，無論是卿雲還是面前一個個德高望重的院士，都覺得是理所當然一般。
半導體方面的就不說了，他聽得出來，卿雲的指向性很明白。
各個環節的發展都是正序推進，也就是說有國外的先發經驗可以參考。
但什麼船舶專業這小王八蛋也都能插一手，這就讓劉瀏覺得眼角直抽搐了。
臺上的卿雲此刻總結到，“鄒院，碳化矽材料有卓越的耐高電壓、高頻、高溫特性，我覺得可以及早佈置下去，讓海軍技術研究院的人提前參與進來。
這是我們最快也是最直接的終端使用者，他們的需求是第一位的。”
那邊被點名的鄒院聞言也是喜笑顏開，“沒問題，我立刻聯絡老張他們。
按照你的說法，碳化矽材料的禁頻寬度為3.26eV，相較於矽的1.12eV，允許碳化矽器件在更高的溫度下穩定執行，能保證我們的器件在承受高頻的電磁攻擊下不發生擊穿，那麼確實在軍艦的電子儀器系統中將發揮巨大的作用。”
坐在另一邊的大王先生王陽明也是頷首，“碳化矽具有2倍於矽的飽和電子漂移速率，導致其器件在關斷過程中不產生電流拖尾現象，能夠提高元件的開關速度，是矽開關速度的310倍。
這使得碳化矽在軍艦的雷達系統、通訊裝置等需要高速切換的電子裝置中表現出色。”
不過材料學泰斗嚴東昇此時卻皺起了眉頭，“碳化矽好是好，但製備存在很大的難度。
生長速度慢，一週才能生長2厘米，材料晶型多樣，存在超過200種相似的晶型，需要精確的材料配比、熱場控制和經驗積累，才能在高溫下製備出無缺陷、皆為4H晶型的可用碳化矽襯底。
但是碳化矽襯底的表面特性不足以直接製造器件，需要在單晶襯底上額外沉積一層高質量的外延材料，並在外延層上製造各類器件。
外延層的質量對器件效能的影響非常大，而高壓領域對缺陷的控制是非常大的挑戰，而且後加工難度很大，碳化矽是硬度僅次於金剛石的材料，晶棒後續的切片、研磨、拋光等工藝的加工難度顯著增加，我們國內缺乏這類的加工器材。
而且由於碳化矽擴散溫度遠高於矽，無法使用擴散工藝，只能採用高溫離子注入的方式。
但高溫離子注入後，材料原本的晶格結構被破壞，需要用高溫退火工藝進行修復。碳化矽退火溫度高達1600℃，這對裝置和工藝控制都帶來了極大的挑戰。”
老頭絮絮叨叨的說著，半響他嘆了口氣，“歸根到底還是成本問題，我個人認為，小卿你太樂觀了些，三五年內，它很難走出實驗室。”
此話一出，全場也是議論紛紛，嚴東昇的擔憂引起了在場人士的廣泛討論。
雲帝很是欣慰，現在的院士們在他潛移默化的影響下，看問題的角度更加務實了。
不過眼前這個問題，他不接受反駁。
在電子戰領域，每一個微小的技術優勢都可能成為決定戰局的關鍵。
碳化矽材料的耐高溫、耐高壓特性，使其在電子戰中能夠承受極端的電磁環境，保持電子裝置的穩定執行。
這個材料的攻破時間必須提前。
因為他的出現，已經導致半導體產業的發展提速。
但是，如果國家沒有一隻強大軍隊作為後盾，只是單方面的攀升科技樹，那麼作為肥羊被宰都是最輕鬆的。
16年發生的事，很可能會提前。
要是沒有提前準備，到時候退的，可能就不是阿美莉卡了。
國力必須協同軍力同步發展，有的時候窮兵黷武一點也沒問題。
守不住，一切都是空談。
卿雲堅定地說道：“嚴院士，我理解您的擔憂，碳化矽的製備和加工確實存在難度。
但我們必須看到，這些難度並非不可克服。
成本問題是需要迭代去解決的。
既然我們已經確認了它的前景，透過嚴院士您的團隊，我們也在碳化矽的製備技術上取得了一定的進展，那麼我們就堅定的走下去。
我相信，隨著我們產業上自身技術的不斷進步，這些難題將會被一一解決。”
“裝置這邊，工信部正在摸底，相信民間還是有一定智慧的。同時我們也在透過玻璃產業去引進一些國外的高階裝置。
但我還是那句話，能用國產，就用國產，效能差點沒關係，迭代就好，在我們力所能及的範圍內，給國產一片成長的土壤。”
“矽具有高理論比容量和低嵌鋰電位，接近鋰金屬負極的理論比容量，按照形成Li3.75Si合金計算，其理論克比容量達到3579mAh/g，接近商業石墨負極理論容量的10倍。