加熱時間滿足預設要求之後，旋轉也早已穩定，馬娟拿起了滴管。
沒錯，就是化學試驗用的那種滴管，一點兒都不高大上，但是對於高振東這個光刻機來說夠用了。
滴管天生就有不太精確的計量功能，例如一毫升水大概是15滴，總之就是當液體的粘稠度確定的話，那從滴管滴出來的每滴液體的體積基本上是一致的，換支滴管也是一樣，只要是正常的滴管都一樣。
多餘的光刻膠會被旋轉的矽片給甩出去的，這也是旋塗的優點。
馬娟往旋轉的矽片中心滴了一些光刻膠，光刻膠很快隨著旋轉，沿著矽片表面勻開來，非常均勻，彷彿不存在一樣。
這也是託光刻膠和矽片的粘附性很好的福，否則在上光刻膠之前，還得上一遍襯底，以加強光刻膠的附著。
矽片緩緩停止旋轉，此時，工件臺再次開始對矽片進行加熱，這是在固化光刻膠。
固化完成後，馬娟開始按動電鈕，調整工件臺，將矽片置於光學系統下的合適位置。
雖然高振東要求東北光學所的同志搞的是160mm直徑的投影範圍，不過考慮到拉晶的成品率，以及光學系統的最大畸變出現在最邊緣的原因，現在還是將矽片的規格定在了130mm，也就是大概5英寸的樣子，不過這是我們的原生工藝，自然就不會用英寸作為矽晶圓的計量單位。
作為最早最原始的光刻機，高振東使用的卻並不是最原始的接觸式光刻，這種方式矽片和掩模直接接觸，解析度比接近式要高。
但接觸式光刻，矽片上的光刻膠或者個別灰塵，會汙染和損壞掩模，用來搞研究可以，搞批產不太好。
他跨過接觸式光刻，使用了接近式光刻，實際光刻的時候矽片和掩模之間有一個極小的距離，在10μm這個數量級，這樣就可以避免掩模的損壞了。
壞處嘛，接近式光刻的解析度比接觸式的要差，最好的情況，大概在2μm的樣子，這對於高振東現在來說是夠用的。
使用接近式光刻，掩模和工件是分開的，這對於搞自動化光刻是有利的，這就是高振東將掩模放進光學系統的原因，掩模在光學系統裡基本不動，運動的是工件臺。
找平之後，工件臺控制矽片向掩模接近，最終達到設計中所設定的距離——20μm。
這一次不用太過仔細的對齊，因為是第一次刻，嚴格對齊是套刻的事情，如果是套刻，還需要對齊套刻標記。
接下來就是曝光、顯影，聽起來和膠片機攝影差不多，實際上原理也基本上一致。
顯影完畢，馬娟開始用顯微鏡檢查成像質量，耗時很長，估計她的眼睛都花了，最終她抬起頭，面帶喜色的向高振東點了點頭。
這次的掩模，是工藝測試用標準掩模，看她這個樣子，至少解析度10μm是沒問題了。
“高師兄，和我們以前測試的一樣，線寬10μm沒有問題，很穩定。”
如果成像質量有問題，那就得將矽片取出來，洗去光刻膠，準備從頭再來。
這年頭，矽片很貴的，不能浪費，哪怕是到了幾十年後，矽片沒那麼貴了，但還得洗，如果問題出在工藝的中後期的光刻道次上，前面的工藝也貴啊！
高振東心中激動，向她點點頭，示意繼續。
接下來按照正常的積體電路工藝，應該是送到其他工序去，根據光刻目的的不同，進行諸如蝕刻、摻雜、離子注入、金屬去除等，但是這是測試光刻機的解析度和套刻精度，這工序就不用做了，而且也沒法做，這兒沒那些東西。
比如蝕刻，看起來簡單，腐蝕就行，但實際上背後靠著一整條比較特殊的安全管理線，這邊也建立一條那玩意，就搞麻煩了，又不是經常要用到。
就更別提摻雜這些需要裝置的工序了，更是沒法做。
考慮到顯影之後，光刻膠就只剩下了需要的那一部分，試驗人員的想法，是再上一次光刻膠，看看兩次光刻顯影結果的重疊程度。
這也算是個笨辦法，如果這種情況下，舊光刻工藝的殘餘物影響到新一次的光刻膠附著，導致試驗效果不好的話，再考慮光刻——送1274蝕刻——光刻這個試驗流程。
&n，其實光刻機的製程是到不了10μm的，因為決定光刻機制程的，還有其他引數，其中很重要的一個就是套刻精度，也正是今天高振東最終要測試的東西。
凡是做積體電路，哪怕工藝簡單如PMOS，都是需要套刻的，因為一次光刻連電晶體都做不出來，更別說形成完整電路了。